HBM4는 D램을 12~16층으로 쌓고 맨 아래에 로직 칩을 붙인 6세대 고대역폭 메모리다. 스택 하나가 1초에 2TB 넘게 주고받는다. HBM3E보다 데이터 통로를 두 배로 넓혔고, 맨 아래 칩을 파운드리에 맡기기 시작했다는 점이 가장 큰 변화다. 메모리 회사가 처음으로 고객 맞춤 제품을 만들게 된 출발점이기도 하다. 용어가 쏟아지는 분야라 이번 글에서 한 번에 정리한다.
- HBM4는 I/O가 1,024개에서 2,048개로 늘어 스택당 대역폭이 2.0~2.8TB/s다. HBM3E는 약 1.2TB/s다.
- 점유율은 2분기 SK하이닉스 50%, 삼성전자 33%, 마이크론 18%다. 하이닉스 1강이 약해지고 있다.
- TrendForce는 2027년 HBM 평균 판가가 121% 오른다고 본다.
- NVHBM은 마이크론이 엔비디아와 만드는 첫 커스텀 HBM4E다.
- 같은 비트를 만드는 데 웨이퍼를 범용 D램의 약 3배 쓴다. 범용 D램 품귀의 뿌리가 여기 있다.
HBM이란 무엇이고 왜 AI에 필요한가
일반 D램이 왕복 몇 차선 도로라면 HBM은 1,024~2,048차선 고속도로다. AI 가속기는 초당 수 TB의 데이터를 메모리에서 끌어와야 하는데, 차선이 좁으면 GPU가 놀게 된다. 그래서 GPU 바로 옆에 메모리를 붙이고, 칩을 위로 쌓아 통로를 늘린 것이 HBM이다.
구조는 세 덩어리로 보면 쉽다.
- 코어 다이: 실제로 데이터를 저장하는 D램 칩이다. HBM4는 1b, 1c(10나노급 5·6세대) 공정을 쓴다.
- 베이스 다이: 맨 아래에서 GPU와 신호를 주고받는 칩이다. HBM4부터 로직 공정으로 만든다.
- TSV: 칩에 구멍을 뚫어 위아래를 잇는 관통 전극이다. 수천 개가 들어간다.
이렇게 만든 HBM은 TSMC CoWoS 같은 패키징으로 GPU와 한 기판에 올라간다. HBM 출하량이 CoWoS 캐파와 함께 움직이는 이유다. 삼성전자가 메모리, 파운드리, 패키징을 한 번에 공급하겠다고 강조하는 것도 이 때문이다.
웨이퍼를 3배 먹는다는 게 무슨 뜻인가
다이가 크고 TSV가 면적을 차지하며, 쌓는 과정에서 불량도 난다. 그래서 같은 비트를 만들려면 범용 D램의 약 3배 웨이퍼가 든다. 3사가 HBM에 웨이퍼를 몰아주니 PC와 스마트폰용 범용 D램이 말라붙었고, 그 값이 HBM보다 더 뛰었다. 거꾸로 HBM 수요가 꺾이면 그 웨이퍼가 범용으로 돌아와 공급이 갑자기 늘어난다. 업황이 나빠질 때 충격이 큰 구조라는 점도 알아 둬야 한다.
HBM은 어떤 순서로 만들어지나
D램 웨이퍼를 만든 뒤 일이 더 많다. 그래서 후공정 장비 회사들이 HBM 호황의 수혜주로 묶인다.
- 코어 다이 제조: 일반 D램처럼 웨이퍼를 만들되 TSV 자리를 비워 둔다. 그만큼 다이가 커진다.
- TSV 형성: 칩을 뚫어 구리로 채운다. 식각과 증착, 도금 장비가 쓰인다.
- 얇게 깎기: 웨이퍼를 수십 ㎛까지 갈아 낸다. 칩이 휘거나 깨지기 쉬운 단계다.
- 적층: TC본더로 칩을 하나씩 쌓는다. 열과 압력을 정밀하게 조절해야 하고 한 층이라도 불량이면 스택 전체가 버려진다.
- 리플로우와 검사: 범프를 굳히고 프로브카드, 번인 테스터, 큐브프로버로 걸러 낸다.
- 패키징: 완성된 스택을 GPU와 함께 인터포저 위에 올린다. TSMC CoWoS가 대표적이다.
층수가 늘수록 수율이 곱으로 떨어진다. 층당 수율이 99%여도 16층이면 약 85%다. 12단에서 16단으로 갈 때 업계가 고생하는 이유가 여기 있다. 삼성전자의 HBM4 수율이 양산 초기 60% 아래에서 8월 80%까지 올랐다는 보도가 시장에 큰 뉴스였던 것도 같은 맥락이다.
HBM 용어 사전
| 용어 | 뜻 |
|---|---|
| TSV | 실리콘 관통 전극. 칩을 뚫어 위아래 칩을 잇는 구리 기둥 |
| 베이스 다이 | 스택 맨 아래의 로직 칩. GPU와 신호를 주고받는다 |
| 12단, 16단 | D램 칩을 쌓은 층수. 층이 많을수록 용량이 크다 |
| MR-MUF | 칩을 다 쌓은 뒤 액체 소재를 한 번에 채우는 방식. SK하이닉스가 쓴다 |
| TC-NCF | 칩마다 필름을 붙여 열압착하는 방식. 삼성전자와 마이크론이 쓴다 |
| TC본더 | 칩을 열과 압력으로 붙이는 장비. HBM 적층의 핵심 장비 |
| 하이브리드 본딩 | 범프 없이 구리끼리 직접 붙이는 차세대 접합 |
| CoWoS | TSMC의 2.5D 패키징. HBM과 GPU를 한 기판에 올린다 |
| 혼합 평균 판가 | 세대와 단수가 다른 HBM 값을 평균 낸 가격 |
| JEDEC | 메모리 표준을 정하는 국제 단체. HBM4 표준 핀 속도는 8Gbps |
HBM 출하를 막는 병목은 어디에 있나
돈이 있어도 금방 못 늘리는 이유가 몇 겹이다. 먼저 클린룸이다. 3사 모두 꽉 차 있어서 새 라인을 깔 자리가 부족하다. 다음은 적층 수율이다. 층이 늘수록 불량이 곱으로 늘어난다. 그다음은 패키징이다. 메모리를 다 만들어도 CoWoS 자리가 없으면 GPU에 붙이지 못한다. 마지막은 전력과 발열이다. 대역폭이 커질수록 뜨거워지고, 데이터센터 전력 예산 안에서 얼마나 효율을 내느냐가 고객의 선택 기준이 된다. 하나가 풀려도 다음 병목이 나타나는 구조라서, 공급이 갑자기 쏟아질 가능성은 낮다고 본다. 반대로 이 병목이 한꺼번에 풀리는 시기가 오면 값이 빠르게 흔들릴 수 있다. 신규 공장이 몰리는 2028년 이후를 경계하는 이유다.
HBM4는 HBM3E와 무엇이 다른가
통로 폭, 베이스 다이, 속도가 달라졌다. I/O가 2,048개로 두 배가 됐고, JEDEC 표준 핀 속도는 8Gbps지만 실제 제품은 10~11Gbps까지 올라간다. SK하이닉스가 2025년 9월 공개한 제품은 10GT/s였고 전력 효율을 40% 이상 개선했다고 밝혔다.
| 세대 | I/O 폭 | 핀당 속도 | 스택 대역폭 | 최대 용량 | 대표 GPU | 시기 | 특징 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| HBM3E | 1,024 | 9.2~9.8Gbps | 약 1.2TB/s | 36GB(12단) | H200, B200, B300 | 2024~26 | 하이닉스 독주 뒤 삼성·마이크론 추격 |
| HBM4 | 2,048 | 8~11Gbps | 2.0~2.8TB/s | 36~48GB | Rubin, MI450 | 2026~ | 로직 베이스 다이, 3사 엔비디아 인증 |
| HBM4E | 2,048 | 12Gbps 이상 | 3TB/s 이상 | 48~64GB(16단) | Rubin Ultra | 2027 하반기 | 커스텀 베이스 다이 본격화 |
| HBM5(전망) | 2,048~4,096 | – | 4TB/s 이상 | 64~80GB+ | Feynman 세대 | 2029~ | 하이브리드 본딩, 메모리 내 연산 후보 |
베이스 다이가 왜 중요한가
HBM3E까지는 베이스 다이를 메모리 공정으로 만들었다. HBM4부터는 TSMC 12·5·3나노나 삼성 4나노로 만든다. 메모리 회사 혼자 완성하던 제품에 파운드리가 끼어든 것이다. SK하이닉스는 TSMC와 손잡았고, 마이크론은 다음 세대부터 TSMC와 협력하는 것으로 알려졌으며, 삼성전자는 자사 파운드리를 쓴다. 로직 공정을 쓰면 여기에 고객이 원하는 기능을 넣을 수 있고, 이게 커스텀 HBM의 시작이다.
삼성전자의 HBM4 반전
삼성전자는 2026년 2월 HBM4 양산과 출하를 시작했고, 서울경제 보도로는 8월에 수율 80%에 도달했다. 3분기 HBM4 매출은 전 분기의 3배가 넘어 HBM 매출의 60%를 차지했다. 회사는 HBM 점유율이 D램 점유율 수준까지 회복했다고 밝혔다. HBM3E에서 고전하던 1년 전을 생각하면 꽤 극적인 변화다.
SK하이닉스는 어디까지 왔나
SK하이닉스는 3분기에 HBM4 출하를 본격화했고 4분기에는 HBM4가 출하량과 매출 모두 HBM3E를 넘어선다고 밝혔다. 청주 M15X는 연말 최대 가동에 들어간다.
HBM4 점유율과 가격은 어떻게 되고 있나
하이닉스의 독주가 약해지는 중이다. 2025년 2분기 62%였던 점유율이 2026년 2분기 50%로 내려왔고, 삼성전자는 17%에서 33%로 올라왔다. 다만 시장이 워낙 커져서 하이닉스 HBM 매출 자체는 계속 늘고 있다.
| 구분 | SK하이닉스 | 삼성전자 | 마이크론 |
|---|---|---|---|
| 2025년 2분기 | 62% | 17% | 21% |
| 2026년 1분기 | 58% | 21% | 21% |
| 2026년 2분기 | 50% | 33% | 18% |
| 2026년 HBM4 전망(Counterpoint) | 54% | 28% | 18% |
엔비디아 Rubin용 HBM4 물량 배분은 증권사마다 다르다. UBS는 하이닉스 약 70%, 다른 곳은 50%대 중반까지 본다. 회사가 공개하는 숫자가 아니라서 범위로만 받아들이는 게 좋다.
2027년 HBM 가격은 왜 두 배가 되나
TrendForce는 2027년 HBM 평균 판가가 121% 오른다고 9월 29일 전망을 올렸다. 빠듯한 공급, 비싼 HBM4 비중 확대, 2027년 하반기 HBM4E가 이유다. 서울경제가 인용한 업계 추정으로는 12단 36GB HBM4 스택이 2026년 약 600달러에서 2027년 약 1,300달러가 된다. 4분기 HBM 혼합 계약가도 +15~20%로 범용 D램(+10~15%)보다 많이 오른다.
그동안 범용 D램이 너무 뛰어 HBM 마진이 범용보다 낮아지는 역전이 있었다. 마이크론은 2027년 HBM 계약으로 이 격차가 좁혀진다고 밝혔다. HBM을 늘릴수록 이익률이 깎이던 문제가 풀린다는 뜻이니 꽤 중요한 대목이다.
반대 신호도 있다. TrendForce는 GPU와 ASIC 업체가 기기당 HBM 용량을 줄이는 방안을 검토한다고 전했다. 2027년에는 8단 제품이 12단보다 Gb당 10~20% 비싸게 팔릴 수 있는데, 적은 단수로 원가를 낮추려는 수요 때문이다. 값이 수요를 누르기 시작했다는 첫 신호로 볼 만하다.
NVHBM과 커스텀 HBM은 무엇인가
NVHBM은 마이크론이 2026년 9월 30일 실적 발표에서 공개한 엔비디아 맞춤 HBM4E다. 업계 첫 커스텀 HBM4E 구현이라고 밝혔고, 차세대 GPU와 NVLink Fusion 플랫폼에 들어간다.
커스텀 HBM은 베이스 다이에 고객의 로직을 넣는 제품이다. 메모리 컨트롤러, 전력 관리, 일부 연산 기능이 들어간다. 구글, 아마존, 메타의 자체 AI 칩도 이런 제품을 원한다. 투자자 입장에서 이게 왜 중요하냐면, 고객별 설계가 들어가는 순간 공급사를 바꾸기 어려워지고 계약이 길어지기 때문이다. 표준품을 값으로 경쟁하던 메모리가 처음으로 TSMC와 비슷한 고객 맞춤 사업을 하게 된다.
물론 과장은 금물이다. 2027년에도 D램 매출 대부분은 표준품에서 나온다. 커스텀 비중이 이익을 바꿀 만큼 커지려면 2028년 이후를 봐야 한다고 생각한다.
SOCAMM2, HBF, LPDDR6는 어디에 쓰이나
AI 서버 메모리는 한 종류로 끝나지 않는다. GPU 옆에 HBM, CPU 옆에 DDR5나 SOCAMM, 그 뒤에 SSD가 계층을 이룬다. 빠르고 비싼 쪽에서 느리고 싼 쪽으로 내려가는 구조다.
- SOCAMM2: LPDDR5X를 교체 가능한 소형 모듈로 만든 제품이다. 엔비디아 Vera CPU에 들어간다. SK하이닉스는 192GB 제품을 양산하며 기존 서버 RDIMM보다 대역폭이 2배 이상, 전력 효율이 75% 이상 좋다고 밝혔다.
- HBF: 낸드를 HBM처럼 쌓은 고대역폭 플래시다. 샌디스크와 SK하이닉스가 2026년 8월 OCP에 첫 기술 규격을 냈다. 읽기 위주의 추론용 데이터를 싸게 담는 용도다.
- LPDDR6: 스마트폰, 태블릿, 자동차, 로봇이 주 무대다. 저전력이 핵심이라 휴머노이드도 HBM 대신 이쪽을 쓴다는 전망이 많다.
- QLC SSD: 엔비디아 ICMS(추론 맥락 저장)가 끌어올린 수요다. 삼성전자는 개인 AI 에이전트 확대로 QLC SSD 수요가 급증한다고 슬라이드에 적었다.
메모리 제품 11종 비교
| 제품 | 구조 | 대역폭(대략) | 용량 | 주 용도 | GB당 가격(DDR5=1) | 강자 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DDR5 RDIMM | 범용 D램 모듈 | 모듈당 50~70GB/s | 64~256GB | 서버 CPU 주메모리 | 1 | 3사, CXMT 추격 |
| MRDIMM | DDR5 두 랭크 동시 구동 | DDR5의 약 2배 | 128~256GB | 고성능 서버 | 1.3~1.5 | 3사 |
| LPDDR5X/6 | 저전력 D램 | 핀당 8.5~10.7Gbps(LP6 14Gbps+) | 8~32GB | 폰·PC·자동차·로봇 | 1.1~1.3 | 3사, CXMT |
| SOCAMM2 | LPDDR5X 모듈 | RDIMM의 2배 이상 | 192GB | Vera CPU, AI 서버 | 1.3~1.6 | 하이닉스(양산), 삼성, 마이크론 |
| GDDR7 | 고속 그래픽 D램 | 핀당 28~36Gbps | 2~3GB/칩 | 그래픽, 추론 전용칩 | 1.5~2 | 3사 |
| HBM3E | 12단 적층 | 스택당 1.2TB/s | 24~36GB | AI 가속기 | 4~5 | 하이닉스 우위 |
| HBM4 | 로직 베이스 다이 + 12~16단 | 2.0~2.8TB/s | 36~48GB | Rubin, MI450 | 6~8 | 하이닉스, 삼성, 마이크론 |
| NVHBM | 엔비디아 맞춤 베이스 다이 | 3TB/s 이상 | 48~64GB | 차세대 GPU, NVLink Fusion | 8 이상(추정) | 마이크론 발표, 2사도 커스텀 개발 |
| HBF | 낸드 적층 | 읽기 HBM급 목표 | HBM의 8~16배 | 추론 모델·맥락 저장 | 낸드급 | 샌디스크, 하이닉스 |
| CXL 메모리 | PCIe 기반 확장 | x8~x16 링크 | 128~512GB | 메모리 풀링 | 1.2 | 삼성, 하이닉스 |
| 기업용 QLC SSD | 낸드 4bit/셀 | 수~수십GB/s | 61~245TB | KV 캐시, 데이터레이크 | 0.05~0.1 | 삼성, 솔리다임, 키옥시아, 샌디스크, 마이크론 |
같은 웨이퍼로 만들어도 HBM과 SOCAMM, 커스텀 제품은 GB당 몇 배 비싸게 팔린다. 제품 구성이 고부가로 갈수록 범용 가격이 빠질 때 이익 감소가 덜하다. 반대로 HBF와 CXL, QLC SSD처럼 싼 메모리로 비싼 메모리 일부를 대신하는 기술은 HBM에는 위협이고 낸드에는 기회다.
HBM4 탑재 GPU 한 개에 메모리가 얼마나 들어가나
Rubin GPU 하나에 HBM4 288GB, 2027년 Rubin Ultra에는 HBM4E 1TB가 들어간다. 플래그십 스마트폰 D램의 20~60배다. CPU도 빠지지 않는다. Vera CPU 한 개에 LPDDR5X를 최대 1.5TB까지 붙인다.
에이전트 AI가 메모리를 더 먹는 이유
학습은 계산이 병목이지만 추론은 메모리가 병목이다. 답을 한 토큰씩 만들 때마다 모델 전체와 지금까지의 대화 맥락(KV 캐시)을 읽어야 하기 때문이다. 긴 문서를 다루는 에이전트는 사용자 한 명의 맥락만 수십 GB가 되고, 여기에 동시 사용자 수가 곱해진다. TrendForce는 GPU 대비 CPU 비율이 1:8에서 1:4 이상으로 오른다고 본다. 도구 호출과 코드 실행은 CPU 몫이고, CPU에는 또 수백 GB의 D램이 붙는다.
휴머노이드와 자율주행은 언제 의미가 생기나
2030년 이후의 얘기로 보는 게 맞다. 마이크론은 L4 자율주행차에 D램 200GB 이상이 들어간다고 밝혔다. Counterpoint는 휴머노이드 대당 D램이 2026년 19GB에서 2030년 39GB가 되고 전체 수요가 17만 2천 Tb로 20배 늘어난다고 본다. 큰 숫자 같지만 약 21.5PB다. 내 계산으로는 2030년 세계 D램 비트 수요의 0.1%에도 못 미친다. 그러니 2027~28년 수급을 바꿀 변수는 아니다. AI 서버 수요가 식을 때 바닥을 받쳐 줄 두 번째 엔진 후보 정도로 보면 된다.
HBM4 이후 발전 방향은 네 갈래다
커스텀이 표준이 되는 흐름
HBM4E부터는 고객마다 베이스 다이가 달라질 수 있다. 엔비디아처럼 자체 인터커넥트를 가진 회사도 원하고, 구글·아마존·메타처럼 자체 AI 칩을 만드는 회사도 원한다. HBM4 시대에 시작된 이 변화가 얼마나 커지느냐에 따라 메모리 회사의 협상력이 달라진다. 설계 비용을 누가 대는지, 고객이 베이스 다이 설계를 직접 하는지 같은 사업 구조는 아직 회사마다 다르고 정해지지 않은 부분이 많다.
파운드리와의 합종연횡
SK하이닉스는 TSMC 편에 섰고 삼성전자는 일괄 공급을 내세웠다. 삼성의 점유율 회복에는 일정 면에서 이 일괄 공급의 덕도 있었다고 본다. 다만 TSMC 생태계에 묶인 고객이 많아서 삼성 방식이 언제나 유리하다고 보기는 어렵다. 삼성전자가 HBM4 다음 세대에서 엔비디아 외 고객을 얼마나 늘리는지가 다음 관전 포인트다.
더 많이 쌓기
용량을 늘리려면 더 얇은 칩을 더 많이 쌓아야 한다. 16단 제품은 높이 제한 775㎛ 안에 칩을 넣으려고 다이를 더 얇게 깎고 칩 사이 간격도 줄인다. 이 단계에서 수율이 한 번 더 흔들릴 수 있고, 어떤 회사가 16단을 먼저 안정화하느냐가 HBM4E 점유율을 좌우할 것으로 본다.
메모리 중심 컴퓨팅
HBM 위에 연산을 얹는 PIM, 로직 칩 위에 D램을 바로 쌓는 3D 적층은 연구 단계다. 2030년 전후의 이야기라 지금 투자 판단에 넣을 필요는 없다. 그래도 방향은 분명하다. 데이터를 옮기는 비용이 너무 커져서 메모리와 연산이 점점 가까워지고 있다.
지금 단계에서 이 모든 기술을 다 외울 필요는 없다. 커스텀 계약이 늘어나는지와 16단 수율이 안정되는지, 이 두 가지만 챙겨도 흐름은 따라갈 수 있다.
HBM4는 누구에게 얼마나 돈이 되나
회사마다 HBM4에 기대는 정도가 다르다. SK하이닉스는 HBM 비중이 가장 크고, 삼성전자는 범용 D램과 낸드까지 함께 가져가며, 마이크론은 HBM보다 데이터센터 전체 제품군으로 돈을 번다.
| 회사 | HBM4 현황 | 베이스 다이 | 적층 방식 | 2027년 계약 |
|---|---|---|---|---|
| SK하이닉스 | 3분기 본격 출하, 4분기 HBM3E 추월 | TSMC | MR-MUF | 2027~28 캐파 50% 이상 장기계약 |
| 삼성전자 | 2월 양산, 3분기 HBM 매출의 60% | 자사 4나노 | TC-NCF | 2027 HBM 완판 |
| 마이크론 | 램프 진행 중, NVHBM 공동 개발 | HBM4는 자체 공정, 이후 TSMC 협력으로 알려짐 | TC-NCF | 2027 HBM 대부분 계약 |
AMD MI450에도 HBM4 432GB가 들어가고 구글 TPU 등 ASIC도 HBM4로 옮겨 간다. 엔비디아 물량만 볼 필요는 없다는 얘기다. 그래도 지금 HBM4 가격과 물량을 사실상 정하는 곳은 엔비디아다. 11월 하순 엔비디아 실적에서 Rubin 출하 일정과 GPU당 HBM 용량 얘기가 나오는지 봐야 한다. 2028년 물량 협상은 2027년 하반기에 시작되므로, 그때 HBM4E 가격이 HBM4 값을 이어 갈지가 다음 분기점이다.
HBM 다음은 무엇이고 장비 수혜는 누구인가
다음 쟁점은 하이브리드 본딩이다. 범프 없이 구리끼리 바로 붙이는 기술인데, JEDEC이 HBM 높이 제한을 775㎛로 늘리면서 도입이 늦춰졌다. TrendForce는 16단 HBM4E가 가장 이른 적용 시점이라고 전했고, HBM5까지 밀릴 것이라는 관측도 있다.
지금 쌓는 방식은 둘로 나뉜다. SK하이닉스는 칩을 다 쌓은 뒤 액체 소재를 한꺼번에 채우는 MR-MUF를 쓰고, 삼성전자와 마이크론은 칩마다 필름을 붙여 눌러 붙이는 TC-NCF를 쓴다. 둘 다 TC본더가 핵심 장비다. 한미반도체, 한화세미텍, ASMPT, 세메스가 경쟁 중이고 하이브리드 본딩으로 넘어가면 BESI까지 판이 다시 짜인다. 한미반도체는 1위지만 PER이 78배다. 기대가 이미 많이 들어간 가격이라는 뜻이고, 다른 소부장 비교는 5편에 정리했다.
중국 HBM은 얼마나 위협적인가
아직은 2~3세대 격차다. 미국은 2024년 12월부터 HBM2E 이상의 중국 수출을 막았고, 중국은 CXMT를 앞세워 자체 개발 중이다. CXMT는 화웨이에 HBM3 샘플을 공급했고 상하이에 HBM 팹을 짓고 있으며, 상장 초과배정 자금의 절반 이상을 HBM 추격에 쓴다고 알려졌다. EUV 장비를 못 쓰는 제약이 있어 양산 수율을 따라오기까지 시간이 걸릴 것으로 본다. 기업별 비교는 4편에 있다.
자주 묻는 질문
HBM4와 HBM3E의 가장 큰 차이는?
I/O가 1,024개에서 2,048개로 두 배가 됐고 베이스 다이를 로직 공정으로 만든다. 스택당 대역폭은 약 1.2TB/s에서 2.0~2.8TB/s로 늘었다. 이 변화로 고객 맞춤 HBM이 가능해졌다.
NVHBM은 무엇인가?
마이크론이 엔비디아와 개발 중인 커스텀 HBM4E다. 베이스 다이를 엔비디아에 맞췄고 차세대 GPU와 NVLink Fusion 플랫폼에 쓰인다. 마이크론은 업계 첫 커스텀 HBM4E 구현이라고 밝혔다.
HBM 1위는 어디인가?
2026년 2분기 Counterpoint 매출 기준으로 SK하이닉스가 50%로 1위다. 삼성전자 33%, 마이크론 18%가 뒤를 잇는다. 삼성전자가 HBM4로 빠르게 따라붙고 있어 3분기 순위는 공식 집계를 확인해야 한다.
SOCAMM과 HBM은 어떻게 다른가?
HBM은 GPU 옆에 붙는 초고속 메모리고, SOCAMM은 CPU 옆에 붙는 저전력 모듈이다. SOCAMM2는 LPDDR5X 기반으로 192GB까지 나오고 교체가 가능하다. 값은 HBM보다 훨씬 싸다.
HBM 가격은 2027년에 얼마나 오르나?
TrendForce는 혼합 평균 판가가 2027년에 121% 오른다고 본다. 12단 36GB HBM4 스택은 업계 추정으로 약 600달러에서 약 1,300달러가 된다. 마이크론과 삼성전자는 2027년 HBM 물량 대부분을 이미 팔았다고 밝혔다.
- [1/5] 영업이익 107조에도 주가는 왜 반토막 났나
- [2/5] HBM4 완전 정리와 메모리 제품 비교 (현재 글)
- [3/5] D램 가격 전망과 수급
- [4/5] SK하이닉스·삼성전자·마이크론 비교
- [5/5] 반도체 소부장 관련주 43개사 지도와 점수표
참고 자료
- Micron FQ4-26 실적발표 자료
- Micron FQ4-26 Prepared Remarks
- TrendForce HBM 2027 가격 전망(2026.09.29)
- 서울경제, HBM 가격 2027 전망(2026.10.01)
- 서울경제, 삼성 HBM4 수율 80%(2026.08.10)
- Tom’s Hardware, SK하이닉스 HBM4 개발 완료
- SK하이닉스 뉴스룸 3Q26 실적
- 삼성전자 3Q26 실적발표 자료
- Astute, HBM 점유율(Counterpoint 인용)
- TrendForce, 하이브리드 본딩 일정(2026.07.07)
- 코리아헤럴드, SK하이닉스 SOCAMM2
- 중앙데일리, 휴머노이드 메모리 수요(Counterpoint)
- TechTarget, 엔비디아 KV 캐시
- TrendForce 에이전트 AI와 메모리(2026.05.29)